DW03內(nèi)置高精度電壓檢測(cè)電路和延遲電路，是單節(jié)鋰離子/鋰聚合物可充電電池組保護(hù)的高集成度解決方案。DW03片上集成了先進(jìn)的低阻抗功率MOSFET，高精度的電壓檢測(cè)電路，延時(shí)電路。

DW03 具有電池應(yīng)用所需的所有保護(hù)  功能，包括過充電、過放電、過電流和負(fù)  載短路保護(hù)等。精確的過充檢測(cè)電壓可安  全、充分地保障電池充電，超低的待機(jī)電  流使得 DW03 在存儲(chǔ)時(shí)消耗極少的電池能  量。  

DW03 不僅適用于數(shù)字移動(dòng)電話，還適  用于其它需要長期電池壽命的鋰離子和鋰  聚合物電池供電的信息設(shè)備。

? 充電器反接保護(hù)、電池反接保護(hù)  ? 芯片高溫保護(hù)  ? 電池高溫保護(hù)  ? 充電器檢測(cè)  ? 過充電電流保護(hù)  ? 過放電自鎖功能  

? 三段過流檢測(cè)：1.放電過流 1  2.放電過流 2  3.負(fù)載短路保護(hù)  

? 內(nèi)部集成等效 48mΩ先進(jìn)的功率 MOSFET  ? 低功耗電流：正常工作：1.5μA 典型  自鎖模式：0.3μA  ? 允許向 0V 電池充電功能  

? ESD：HBM=4kV  ? 封裝：SOT23-5

應(yīng)用  ? 單節(jié)鋰離子可再充電電池  ? 單節(jié)鋰聚合物可再充電電池

DW03 通過監(jiān)測(cè)電池的電壓和電流，斷開電池與負(fù)載或充電器的連接，保護(hù)電池不因過  充電電壓、過放電電壓、過放電電流和短路情況而損壞。為了在規(guī)定的條件內(nèi)使用電池，這  些功能是必需的。同時(shí) DW03 內(nèi)部集成 MOSFET，外部僅需一個(gè) 0.1uF 電容和 100Ω電阻即  可起到保護(hù)作用，內(nèi)部等效 RDS(ON)典型值 54mΩ。  

（一） 正常工作狀態(tài)  未檢測(cè)到異常情況，電池可以自由充電與放電，此狀態(tài)稱為正常工作模式。  

（二） 過充電狀態(tài)  當(dāng)電池電壓在正常充電期間高于過充電檢測(cè)電壓（VCU）且狀態(tài)持續(xù)超過過充電檢測(cè)延  遲時(shí)間（TCU），DW03 會(huì)關(guān)閉充電控制 FET 以停止充電進(jìn)入過充電狀態(tài)。在以下兩種情況  下，將解除過充電狀態(tài)：  1）當(dāng)電池電壓降至過充電釋放電壓（VCL）以下時(shí)，DW03 接通充電控制 FET 并返回  正常狀態(tài);  2）當(dāng)連接負(fù)載并開始放電時(shí)，DW03 接通充電控制 FET 并返回到正常狀態(tài)。釋放機(jī)制  如下：在連接負(fù)載開始放電后，放電電流立即流過充電 FET 的內(nèi)部寄生二極管，并且 VM  引腳電壓從 GND 引腳增加約 0.7V（二極管的正向電壓）瞬時(shí)電壓，DW03 檢測(cè)到該電壓并  釋放過充電狀態(tài)。因此在電池電壓等于或低于過充電檢測(cè)電壓（VCU）的情況下，DW03 立  即返回正常狀態(tài)，但電池電壓高于過充電檢測(cè)電壓（VCU）的情況下，即使已連接負(fù)載，芯片也處于過充電狀態(tài)。此外，如果在連接負(fù)載開始放電時(shí) VM 引腳電壓等于或低于過電流 1  檢測(cè)電壓，芯片不會(huì)恢復(fù)正常狀態(tài)。  備注：如果電池充電至高于過充電檢測(cè)電壓（VCU）的電壓，且連接會(huì)引起過電流的重負(fù)載，電池電壓也  未降至過充電檢測(cè)電壓（VCU）以下時(shí)，則過電流 1 和過電流 2 檢測(cè)不會(huì)工作，直至電池電壓降至過充電  檢測(cè)電壓（VCU）以下。但是，由于實(shí)際電池的內(nèi)部阻抗為幾十 mΩ，在連接會(huì)引起過電流的重負(fù)載后電  池電壓會(huì)立即降至充電檢測(cè)電壓（VCU）以下，所以過電流 1 和過電流 2 檢測(cè)會(huì)工作。負(fù)載短路檢測(cè)一致  工作，與電池電壓無關(guān)。 

（三） 過放電狀態(tài)  當(dāng)電池電壓在正常放電期間降至過放電檢測(cè)電壓（VDL）以下且狀態(tài)持續(xù)超過過放電檢  測(cè)延遲時(shí)間（TDL），DW03 將關(guān)閉放電控制 FET 并停止放電進(jìn)入過放電狀態(tài)。放電控制 FET  關(guān)斷后，VM 引腳被 VM 和 VDD 內(nèi)部電阻 RVMD 上拉。同時(shí)，當(dāng) VM 電壓大于 1.5V（Typ- 負(fù)載短路檢測(cè)電壓）時(shí)，芯片的電流將減小為掉電電流（IPDN），此條件稱為掉電條件，此  狀態(tài)下，VM 引腳同樣被 VM 和 VDD 內(nèi)部電阻 RVMD 上拉。當(dāng)電池連接充電器且 VM 和 VDD  之間的電位差為 1.3V（Typ）或更高（負(fù)載短路檢測(cè)電壓）時(shí)，掉電狀態(tài)被解除，此時(shí)，F(xiàn)ET  仍處于關(guān)閉狀態(tài)。當(dāng)電池電壓達(dá)到過放電檢測(cè)電壓（VDL）或更高（過放電釋放電壓 VDR）  時(shí)，DW03 會(huì)打開 FET，并從過放電狀態(tài)變?yōu)檎顟B(tài)。  

（四） 過電流狀態(tài)  在正常放電期間，當(dāng)放電電流等于或大于指定值（VM 引腳電壓等于或大于過電流檢測(cè)  電壓）且狀態(tài)持續(xù)過流檢測(cè)延遲時(shí)間，DW03 將關(guān)閉放電控制 FET 并停止放電進(jìn)入過電流狀  態(tài)。（過電流包括過電流或負(fù)載短路）  在過流條件下，VM 和 GND 引腳通過 RVMS 電阻在內(nèi)部短路。連接負(fù)載后，VM 引腳電  壓通過負(fù)載等于 VDD 電壓，當(dāng)釋放負(fù)載后，B+和 B-之間的阻抗高于自動(dòng)可恢復(fù)阻抗時(shí)，過  電流狀態(tài)恢復(fù)到正常狀態(tài)。負(fù)載移除后，由于 VM 引腳通過 RVMS 電阻與 GND 引腳短路，  因此 VM 引腳返回到 GND 電位。同時(shí)檢測(cè)到 VM 引腳電位低于過流檢測(cè)電壓（VIOV1）時(shí)，  芯片也會(huì)返回正常狀態(tài)。  

（五） 短路狀態(tài)  如果 VM 引腳的電壓等于或低于短路保護(hù)電壓（VSHORT），則 DW03 將停止放電且電  池與負(fù)載斷開連接。關(guān)斷電流的最大延遲時(shí)間為 TSHORT。當(dāng) VM 引腳的電壓高于短路保護(hù)  電壓（VSHORT）時(shí)（如斷開負(fù)載），此狀態(tài)被釋放。  

（六） 0V 電池充電功能  該功能允許為自放電為 0V 電池充電。當(dāng)充電器為 0V 電池充電時(shí)，在 B+和 B-引腳之  間連接一個(gè)充電器，充電器電壓達(dá)到 V0CHA 或更高，則充電控制 FET 柵極固定為 VDD 電位。  當(dāng)充電控制 FET 的柵極和源極之間的電壓變?yōu)榈扔诨蚋哂诔潆娖麟妷簳r(shí)，充電控制 FET 導(dǎo)  通以開始充電。此時(shí)，放電控制 FET 截止，充電電流流過放電控制 FET 中的內(nèi)部寄生二極  管。如果電池電壓等于或高于過放電釋放電壓（VDU），則恢復(fù)正常狀態(tài)。